IT之家 7 月 10 日消息，据韩媒 newstomato 消息，业界消息透露，SK 海力士近期将以向中国大连第二工厂引进设备为契机，正式推进全新生产线的投资与建设。

SK 海力士计划从今年下半年起搬入生产设备，并于明年上半年分阶段完成设施建设。目前，大连第一工厂已完成向 192 层 NAND 闪存产线的升级投资以及老化设备的更换工作。

报道称，在 SK 海力士所有的 NAND 闪存生产基地中，大连第二工厂被视为能最快实现产能扩充的地点。该公司曾于 2022 年在大连举行开工仪式并正式宣布投资计划，但随后因 NAND 闪存行业遇冷，该投资计划实质上已被暂缓。

据悉，部分韩国本土供应商已着手将闲置的 NAND 闪存设备搬迁至大连，而海外设备制造商也已收到用于设备供应的初步采购订单。

SK 海力士方面向该媒体表示：“随着 AI 数据中心的普及，如同 DRAM 一样，NAND 闪存的需求也在迅速增长。受此影响，大连第二工厂重启的可能性随之升高，但具体的日程尚未最终确定。”

在企业内部，SK 海力士正积极为全面投资做准备。去年，SK 海力士向大连 NAND 闪存工厂追加注资了 4406 亿韩元（IT之家注：现汇率约合 19.92 亿元人民币）。这一规模较上一年度（2899 亿韩元）大幅增长了 52%。

另据韩媒 Sisa Journal 消息，大连第二工厂将在今年下半年获得一条新的 V8 生产线（238 层 NAND 闪存），月产能目标为 3 万至 5 万片晶圆。

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