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芝奇 EXPO ULL 内存性能首测曝光,相比非 ULL 内存提升约 4%

2026/7/10 11:25:31 来源:IT之家 作者:故渊 责编:故渊

IT之家 7 月 10 日消息,科技媒体 HardwareLuxx 于 7 月 6 日发布博文,分享了 AMD EXPO Ultra Low Latency(ULL)内存首批测试结果,称相比较非 ULL 套装内存,ULL 内存性能提升有限,约为 4%。

该媒体测试芝奇 G.Skill 的新款 Trident Z5 NeoX RGB 内存,IT之家此前报道,该内存的 CL28 新品首发价远超预期,溢价超过 79%

该媒体测试样品为 2 根 16GB 内存套装,频率为 6000 MT/s,主时序为 36-36-36-76。与标准 EXPO 或 XMP 内存相比,EXPO ULL 内存的主时序基本没有变化,主要优化写入恢复时间 (tWR)。

G.Skill Trident Z5 NeoX RGB EXPO ULL

在游戏测试环节,《F1 25》游戏提升最为明显,ULL 套件的性能比 DDR5-6000 CL26-36-36-96 套件高出 4.2%,比 JEDEC 标准 5600 MT/s 高出近 14%。

在《赛博朋克 2077》游戏中,ULL 相较标准 EXPO 快约 3.7%,相较 JEDEC 标准快 12.7%。在《弧光猎人》(Arc Raiders)、《博德之门 3》(Baldur's Gate 3)与《Counter-Strike 2》中,报道未记录明显性能增益。

生产力应用测试方面,HardwareLuxx 称,7-Zip 测试中,ULL 与非 ULL 内存仅有轻微差异。AIDA64 基准结果显示,复制与读取吞吐基本接近,但 ULL 的写入吞吐比标准 EXPO 高 9.4%。

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关键词:AMD内存EXPO

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